everspin最新1Gb容量擴大MRAM吸引力
2020-02-19 15:15 深圳市英尚微電子有限公司
導讀：everspin提供了8/16-bit的DDR4-1333MT/s（667MHz）接口，但與較舊的基于DDR3的MRAM組件一樣，時序上的差異使得其難以成為DRAM（動態(tài)隨機存取器）的直接替代品。
everspin提供了8/16-bit的DDR4-1333MT/s（667MHz）接口，但與較舊的基于DDR3的MRAM組件一樣，時序上的差異使得其難以成為DRAM（動態(tài)隨機存取器）的直接替代品。
最新的1Gb容量STT-MRAM擴大了MRAM的吸引力，但Everspin仍需努力追趕DRAM的存儲密度。
低容量的特性，使得MRAM組件更適用于嵌入式系統(tǒng)，其中SoC和ASIC可更容易地設計兼容的DDR控制器。
目前行業(yè)內已通過MRAM來部分替代DRAM，比如IBM就在去年推出了Flash Core模塊，以及希捷在FMS2017上展示的原型。
當然我們并不指望mram專用存儲設備可以迅速在市面上普及（SSD或NVDIMM）。畢竟市面上的混合型SSD，仍依賴于NAND閃存作為主要存儲介質。
作為與格羅方德合作生產(chǎn)的第二款分立型MRAM器件，他們還在GloFo的22nmFD-SOI工藝路線圖中嵌入了MRAM。
鑒于該工廠取消了7nm和更低制程的計劃，包括嵌入式內存在內的特殊工藝對其未來顯然至關重要。
需要指出的是，盡管Everspin不是唯一一家致力于MRAM技術的公司，但它們卻是分立式MRAM器件的唯一供應商。Everspin在磁存儲器設計，制造和交付到相關應用中的知識和經(jīng)驗在半導體行業(yè)中是獨一無二的。Everspin擁有超過600項有效專利和申請的知識產(chǎn)權產(chǎn)品組合，在平面內和垂直磁隧道結（MTJ）STT-MRAM位單元的開發(fā)方面處于市場領先地位。
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