盡管2021年將完全損失以往的第二大客戶華為，但是全球半導體缺貨使得臺積電業(yè)績不降反增，今年預計至少砸下300億美元擴充芯片產(chǎn)能。

臺積電此前公布的2021年度資本開支是250-280億美元，這已經(jīng)是大幅增加后的結果了，畢竟2020年資本開支才170億美元，最初預計今年也就是200億美元。

現(xiàn)在臺積電有可能在說法會上宣布增加投資，全年預計投資300-310億美元，折合人民幣至少2000億，相比此前的計劃增加了10-20%。

此前臺積電宣布在3年內(nèi)投資1000億美元擴張半導體產(chǎn)能，這次調(diào)整就是新計劃中的第一步。

300多億資金中，其中大部分都是用于先進工藝產(chǎn)能，除了已經(jīng)量產(chǎn)的7nm、5nm工藝之外，3nm工藝、2nm工藝也會加快，其中3nm工廠明年上半年裝機，下半年量產(chǎn)。

2nm工藝目前還在研發(fā)階段，進展順利，2nm晶圓廠明年在新竹動工開建。

針對目前更為緊缺的成熟工藝，臺積電預計投資至少100億美元擴產(chǎn)，主要提升28nm以及40nm以上等成熟工藝。