存儲芯片中除了NAND閃存及DRAM內存之外，還有多種技術選擇，ReRAM(非易失性阻變式存儲器)就是其中一種，其寫入壽命可達100萬次，此前主要是生產(chǎn)難度大，現(xiàn)在杭州昕原半導體主導建設了國內首條28/22nm ReRAM 12寸中試生產(chǎn)線。

據(jù)杭州日報消息，昕原半導體主導建設的國內首條28/22nm ReRAM（阻變存儲器）12寸中試生產(chǎn)線順利完成了自主研發(fā)設備的裝機驗收工作，實現(xiàn)了中試線工藝流程的通線，并成功流片（試生產(chǎn)）。

傳統(tǒng)CMOS代工廠或因囿于資源所限，迭代速度較慢，從而影響工藝開發(fā)進度，而國內各大科研院所雖可在實驗室階段加快迭代速度，但沒有標準的12寸量產(chǎn)產(chǎn)線，實驗成果往往很難走向量產(chǎn)。

昕原自行搭建的28/22nm ReRAM（阻變存儲器）12寸中試生產(chǎn)線就解決了上述問題。汲取了代工廠和實驗室的長處，迭代速度快， 產(chǎn)線靈活，擁有自主可控的知識產(chǎn)權，使得ReRAM相關產(chǎn)品的快速實現(xiàn)變成了可能。

“作為大陸首條28/22nm ReRAM12寸中試生產(chǎn)線，我們產(chǎn)線的順利導通并完成產(chǎn)品的驗證和實現(xiàn)量產(chǎn)，將極大帶動我國新型存儲行業(yè)發(fā)展?！?/p>

昕原半導體相關負責人表示，“而在這一領域，目前國內外差距較小，壁壘尚未形成，為我國存儲器產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)‘彎道超車’提供了可能?！?/strong>