導讀：9月1日，三星宣布采用12納米(nm)級工藝技術，開發(fā)出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM。在相同封裝尺寸下，容量是16Gb內存模組的兩倍，功耗降低10%，且無需硅通孔(TSV)工藝即可生產128GB內存模組。此次新品為實現高達1TB容量的內存模組奠定了基礎。全新12納米級32Gb DDR5 DRAM計劃于今年年底開始量產。（全球TMT）
9月1日，三星宣布采用12納米(nm)級工藝技術，開發(fā)出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM。在相同封裝尺寸下，容量是16Gb內存模組的兩倍，功耗降低10%，且無需硅通孔(TSV)工藝即可生產128GB內存模組。此次新品為實現高達1TB容量的內存模組奠定了基礎。全新12納米級32Gb DDR5 DRAM計劃于今年年底開始量產。（全球TMT）
