導讀:9月1日,三星宣布采用12納米(nm)級工藝技術,開發(fā)出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM。在相同封裝尺寸下,容量是16Gb內存模組的兩倍,功耗降低10%,且無需硅通孔(TSV)工藝即可生產128GB內存模組。此次新品為實現高達1TB容量的內存模組奠定了基礎。全新12納米級32Gb DDR5 DRAM計劃于今年年底開始量產。(全球TMT)
9月1日,三星宣布采用12納米(nm)級工藝技術,開發(fā)出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM。在相同封裝尺寸下,容量是16Gb內存模組的兩倍,功耗降低10%,且無需硅通孔(TSV)工藝即可生產128GB內存模組。此次新品為實現高達1TB容量的內存模組奠定了基礎。全新12納米級32Gb DDR5 DRAM計劃于今年年底開始量產。(全球TMT)