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一MEMS傳感器企業(yè)，三年累計現(xiàn)金分紅約3.04億

2024-11-15 16:29 芯傳感

導讀：重視投資者回報，立足長期穩(wěn)定發(fā)展，結(jié)合經(jīng)營實際與投資者合理需求，考慮發(fā)展階段、戰(zhàn)略及資金需求，制定利潤分配方案。在符合《公司章程》的前提下，優(yōu)先現(xiàn)金分紅。2020-2023年，士蘭微累計現(xiàn)金分紅約3.04億元。

今日，士蘭微發(fā)布關(guān)于“提質(zhì)增效重回報”行動方案的公告。

其中提到，公司重視投資者回報，立足長期穩(wěn)定發(fā)展，結(jié)合經(jīng)營實際與投資者合理需求，考慮發(fā)展階段、戰(zhàn)略及資金需求，制定利潤分配方案。在符合《公司章程》的前提下，優(yōu)先現(xiàn)金分紅。2020-2023年，士蘭微累計現(xiàn)金分紅約3.04億元。
2022年7月，廈門基地啟動6英寸SiC芯片生產(chǎn)線，現(xiàn)已達每月9000片產(chǎn)能。2024年，杭州基地8英寸GaN芯片量產(chǎn)線取得進展，正推進車規(guī)級、工業(yè)級產(chǎn)品上市。5月21日，公司與廈門市政府簽署協(xié)議，共建8英寸SiC功率器件芯片線，分兩期投資70億和50億，規(guī)劃產(chǎn)能分別為每月3.5萬片和2.5萬片，總計6萬片，預計2025年底初步通線。

以IDM模式驅(qū)動半導體業(yè)務(wù)增長

據(jù)芯傳感了解，士蘭微上市20余年，堅持IDM模式。自2003年在上交所上市以來，在功率半導體、MEMS傳感器等領(lǐng)域構(gòu)建了核心競爭力。
2021-2023年，公司抓住國產(chǎn)芯片導入機遇，拓展工藝技術(shù)與產(chǎn)品平臺。2023年營收達93.40億元，較2020年增長118%。2024年，公司繼續(xù)加強車規(guī)級、工業(yè)級產(chǎn)品體系能力建設(shè)，拓展高門檻市場。
在IPM模塊、IGBT產(chǎn)品、SiC功率器件等領(lǐng)域取得顯著進展，如2024年上半年IPM模塊應(yīng)用量超8300萬只，IGBT和SiC營收增長30%以上。SiC功率器件方面，公司已掌握關(guān)鍵技術(shù)，并完成第Ⅲ代技術(shù)開發(fā)，IV代芯片即將完成驗證。
2024年1-9月，公司營收81.63億元，同比增長18.32%，凈利潤為0.29億元。
士蘭微通過長期高強度研發(fā)投入，構(gòu)建了可持續(xù)發(fā)展的研發(fā)體系，2021至2023年累計投入約22.53億元。
近年來，公司成功研發(fā)并迭代了多品類模擬電路、變頻系統(tǒng)、MEMS傳感器及硅基、化合物半導體產(chǎn)品等。同時，在制造工藝技術(shù)上也取得了顯著成果，截至2023年底已擁有1171項專利，其中發(fā)明專利538項。
當前，研發(fā)項目聚焦五大領(lǐng)域：車規(guī)級和工業(yè)級電源管理、功率半導體器件與模塊、MEMS傳感器、信號鏈混合信號處理電路及光電系列產(chǎn)品。
2024年1-9月，研發(fā)投入達7.55億元，同比增長29.32%，占營收比重9.25%。未來五年，公司計劃保持研發(fā)投入占比8%-10%，持續(xù)推動新產(chǎn)品新技術(shù)的開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，增強核心競爭能力。

大力發(fā)展第三代半導體產(chǎn)業(yè)

近年來，士蘭微積極投身于以SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）等化合物產(chǎn)品為核心的第三代半導體產(chǎn)業(yè)，持續(xù)推動技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)升級。
2022年7月，該公司在廈門制造基地正式啟動了“6英寸SiC功率器件芯片生產(chǎn)線建設(shè)項目”。
據(jù)芯傳感了解，目前該生產(chǎn)線已具備每月9000片的6英寸SiC芯片生產(chǎn)能力，為公司在SiC領(lǐng)域的市場拓展奠定了堅實基礎(chǔ)。
進入2024年，該公司在杭州基地的8英寸GaN功率器件芯片量產(chǎn)線建設(shè)也取得了顯著進展。目前，GaN芯片生產(chǎn)線已實現(xiàn)初步通線，公司正全力推進后續(xù)工作，以期盡快推出首批車規(guī)級和工業(yè)級的GaN功率器件產(chǎn)品，進一步豐富其產(chǎn)品線并滿足市場需求。
此外，為進一步完善公司在車規(guī)級高端功率半導體領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局，該公司與廈門市人民政府、廈門市海滄區(qū)人民政府于2024年5月21日共同簽署了《戰(zhàn)略合作框架協(xié)議》。根據(jù)協(xié)議，各方將在廈門市海滄區(qū)攜手建設(shè)一條以SiC MOSFET為主要產(chǎn)品的8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線。
該項目規(guī)劃分兩期進行建設(shè)。項目一期投資規(guī)模高達70億元，規(guī)劃產(chǎn)能為每月3.5萬片；二期投資規(guī)模約為50億元，規(guī)劃產(chǎn)能為每月2.5萬片。兩期建設(shè)全部完成后，該生產(chǎn)線將具備每月6萬片8英寸SiC功率器件芯片的生產(chǎn)能力，顯著提升公司在SiC領(lǐng)域的市場競爭力。
目前，該8英寸SiC芯片生產(chǎn)線正在緊鑼密鼓地建設(shè)中，預計將于2025年年底實現(xiàn)初步通線。