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GUC 創(chuàng)意電子宣布全球首款 HBM4 IP 成功流片,采用臺積電最先進 N3P 制程

2025-04-03 09:42 IT之家

導讀:全球首款HBM4 IP的流片。

臺積電持股超 1/3 的臺灣地區(qū)芯片服務企業(yè) GUC 創(chuàng)意電子今日宣布,其成功利用臺積電最先進 N3P 制程和 CoWoS-R 先進封裝完成全球首款 HBM4 IP(IT之家注:包含控制器和 PHY 物理層)的流片。

創(chuàng)意電子的HBM4 IP 支持高達 12Gbps 的數據傳輸速率。相較于 HBM PHY,流片成功的 HBM4 PHY 實現(xiàn)了 2.5 倍的帶寬提升,并將功耗效率提升 1.5 倍,面積效率提升 2 倍,PPA 提升顯著

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創(chuàng)意電子表示該企業(yè)通過創(chuàng)新的中介層布局設計,優(yōu)化了 HBM4 IP 信號完整性與電源完整性兩方面的表現(xiàn),確保 HBM4 在各類 CoWoS 技術下皆能穩(wěn)定運行于高速模式。

創(chuàng)意電子的 HBM4 IP 還整合了由以色列 proteanTecs 提供的互聯(lián)監(jiān)測電路,可提供 HBM 聯(lián)機信號的可觀測性與電氣特性分析,進一步提升終端產品的實際運行能效與可靠度。

創(chuàng)意電子總經理戴尚義表示:

我們很自豪成為全球首家成功流片 12Gbps HBM4 控制器與 PHY IP 的公司。我們將持續(xù)致力于提供業(yè)界領先的 2.5D / 3D IP 與服務。通過整合 HBM4、UCIe-A 與 UCIe-3D IP,我們?yōu)榘雽w產業(yè)提供全面性的解決方案,以滿足市場不斷演進的需求。