導(dǎo)讀:據(jù)悉,N3E工藝將使用更少的EUV光刻層,從25層縮減到21層,投產(chǎn)難度更低,良率也能更高,成本自然得以下降,但是晶體管密度會比N3版本低大約8%,相比N5仍然會高60%。
臺積電的5nm工藝已經(jīng)量產(chǎn)一年多了,今年就要量產(chǎn)3nm工藝了,不過這代工藝歷經(jīng)多次波折,臺積電已經(jīng)改變策略率先量產(chǎn)第二版的N3B工藝,今年8月份就要量產(chǎn),可惜今年iPhone 14的A16芯片已經(jīng)錯過機會了。
據(jù)《聯(lián)合報》消息,臺積電的3nm工藝最近取得了重大突破,將于今年8月份在新竹12廠研發(fā)中心第八期工廠及南科18廠P5廠同步投片量產(chǎn)。
此前我們也報道過,臺積電的3nm會有多個版本,至少包括N3、N3E、N3B。
現(xiàn)在8月份要量產(chǎn)的是N3B版,2023年還會有增強版的N3E工藝量產(chǎn)。
據(jù)悉,N3E工藝將使用更少的EUV光刻層,從25層縮減到21層,投產(chǎn)難度更低,良率也能更高,成本自然得以下降,但是晶體管密度會比N3版本低大約8%,相比N5仍然會高60%。
按照以往的慣例,臺積電每代新工藝的首發(fā)客戶基本上都是蘋果,但是現(xiàn)在3nm工藝要到下半年才量產(chǎn),今年iPhone 14用的A16處理器趕不上了,它使用的還是5nm改進的4nm工藝,因此會在去年5nm A15的基礎(chǔ)上繼續(xù)改進,是不是擠牙膏還不好說,就看具體能提升多少性能了。